Sisällysluettelo:
Samsung jatkaa kehitystä sirujen kehittämisessä, jotka parantavat huomattavasti mobiilipäätteiden suorituskykyä, energian optimointia ja autonomiaa. Näin ollen se on juuri ilmoittanut, että insinöörit ovat parhaillaan kehittämässä uutta kolmen nanometrin sirua, joka on rakennettu Get-all-around-tekniikalla ja joka korvaa nykyisen FinFET-puristusjärjestelmän. Tämän uuden, kolmessa nanometrissä rakennetun sirun avulla voimme todistaa todellisen kehityksen, joka sopeutuu tekoälyn ja autonomisen ajon uusiin tekniikoihin.
3 nanometrin sirut kuluttavat puolet akusta kuin nykyiset
Jos verrataan kolmessa nanometrissä rakennettua sirua nykyiseen tiedossa olevaan seitsemän nanometrin siruun, se pienentäisi sirun kokoa jopa 45%, 50% vähemmän virrankulutusta ja tehokkuuden kasvua 35%. Samsungin patentoimassa uudessa Get-all-around-tekniikassa käytetään vertikaalista nanolevyarkkitehtuuria (kaksiulotteista nanorakennetta, jonka paksuus on asteikolla 1-10 nanometriä), mikä mahdollistaa suuremman sähkövirran akkua kohti verrattuna nykyiseen FinFET-prosessiin.
Viime huhtikuussa Samsung jakoi jo asiakkaidensa kanssa tämän uuden sirun ensimmäisen kehityspaketin, mikä lyhensi markkinoiden lanseerausta ja paransi suunnittelunsa kilpailukykyä. Tällä hetkellä Samsungin insinöörit ovat syvällä suorituskyvyn ja energiatehokkuuden parantamisen alueella. Jos emme voi laittaa paristoja viime viikkoina, meidän on parannettava prosessoreita.
Kolmen nanometrin sisäänrakennetun uuden sirun lisäksi Samsung aikoo aloittaa kuuden nanometrin sisäänrakennettujen laitteiden prosessoreiden massatuotannon tämän vuoden toisella puoliskolla. Viiden nanometrin kokoamisen onnistuvan FinFET-prosessin odotetaan ilmestyvän vuoden loppuun mennessä ja sen massatuotannon odotetaan ensi vuoden ensimmäiselle puoliskolle. Lisäksi yritys valmistautuu neljän nanometrin prosessorien kehittämiseen myöhemmin tänä vuonna. Missä vaiheessa kauan odotetut sirut, jotka on rakennettu kolmeen nanometriin, ilmestyvät? On vielä liian aikaista sanoa.
